Western Digital (WD) 宣布與技術製造合作夥伴 Kioxia 共同開發最先進的快閃記憶體技術「第五代 3D NAND 技術 BiCS5」，採用三層單元 (TLC) 與四層單元 (QLC) 兩種架構、112 層垂直堆疊的儲存容量，能提供極具吸引力的成本以及卓越容量、效能以及穩定性，能滿足連網汽車、行動裝置與人工智慧的資料量需求，而目前已經開始生產 512GB 的 BiCS5 TLC，預計 2020 年下半年就能開始商業化量產，供應採用新技術的消費性產品，未來 BiCS5 TLC 與 BiCS5 QLC 更將提供包括 1.33TB 等多樣的儲存容量選擇，於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造！
採用第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的 3D NAND 儲存單元技術工藝打造的 BiCS5，是 Western Digital 目前密度最高、最先進的 3D NAND 技術，每晶圓儲存容量比 96 層的 BiCS4 高出 40%，I/O 效能較 BiCS4 提高 50%，未來將廣泛應用於以資料為中心的個人電子裝置、智慧型手機、物連網裝置與資料中心！
Western Digital 記憶體技術與製造部門資深副總裁 Steve Paak 博士表示：隨著下一個十年的到來，如何增加 3D NAND 容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵！
藉由成功開發 BiCS5，Western Digital 展現了領先業界的快閃記憶體技術，及強大的計畫執行力！
WD 利用更先進的多層儲存通孔（multi-tier memory hole）技術來增加橫向儲存密度，同時透過增加儲存層讓 3D NAND 技術的容量與效能顯著提升，以滿足消費者對穩定性與低成本的期望！
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